S5D-M3/9AT · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.15 V @ 5 A
제품
V8P22-M3/H · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 100 µA @ 200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 900 MV @ 8 A
PUUP8BH · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 2 µA @ 100 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.05 V @ 8 A
ES5J-T · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.7 V @ 5 A
31GF6-M3/54 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 20 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.6 V @ 3 A
V10PWM63-M3/I · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 25 µA @ 60 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 650 MV @ 10 A
S3B-E3/9AT · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 100 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.15 V @ 2.5 A
ED506S_S2_00001 · 전자 부품
- 제조사
- Panjit International Inc.
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 1 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.7 V @ 5 A