제품
HS3F · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 300 V
- 동작 접합 온도
- -55°C ~ 150°C
PMEG40T50EP-QX · 전자 부품
- 제조사
- Nexperia USA Inc.
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 41 µA @ 40 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 525 MV @ 5 A
BAS316HE3-TP · 전자 부품
- 제조사
- Micro Commercial Co
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 1 µA @ 75 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.25 V @ 150 MA
SBR5E60P5-7 · 전자 부품
- 제조사
- Diodes Incorporated
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 220 µA @ 60 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 520 MV @ 5 A
1N4154TAP · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 100 NA @ 25 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1 V @ 30 MA
SL22HE3_A/H · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 400 µA @ 20 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 395 MV @ 1 A
SARS01V0 · 전자 부품
- 제조사
- Sanken Electric USA Inc.
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 800 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 920 MV @ 1.2 A
SS33-M3/9AT · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 500 µA @ 30 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 500 MV @ 3 A