MBR120100CT · 전자 부품
- 제조사
- GeneSiC Semiconductor
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 120A (DC)
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 840 MV @ 60 A
제품
MSE1PGHM3/89A · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 1 µA @ 400 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.1 V @ 1 A
SF24G · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 950 MV @ 2 A
31DQ04 · 전자 부품
- 제조사
- SMC Diode Solutions
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 1 MA @ 40 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 570 MV @ 3 A
SK320B · 전자 부품
- 제조사
- SMC Diode Solutions
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 1 MA @ 200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 900 MV @ 3 A
MUR340SBH · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 400 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.25 V @ 3 A
U3B-E3/9AT · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 100 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 900 MV @ 3 A
US2JDFQ-13 · 전자 부품
- 제조사
- Diodes Incorporated
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.7 V @ 1 A
VS-VSKD196/16PBF · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 97.5A
- 동작 접합 온도
- -40°C ~ 150°C
SS3P4L-M3/87A · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 250 µA @ 40 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 470 MV @ 3 A