ESH3C-M3/57T · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 150 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 900 MV @ 3 A
제품
RB558VYM150FHTR · 전자 부품
- 제조사
- Rohm Semiconductor
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 500 NA @ 150 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 950 MV @ 500 MA
ESH3B-M3/9AT · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 100 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 900 MV @ 3 A
1PS79SB70 · 전자 부품
- 제조사
- Nexperia USA Inc.
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 70 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1 V @ 15 MA
JANTXV1N5712UBD/TR · 전자 부품
- 제조사
- Microchip Technology
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 75mA
- 동작 접합 온도
- -65°C ~ 150°C
SE40PDHM3_A/I · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.05 V @ 4 A
RBS1LAM40ATR · 전자 부품
- 제조사
- Rohm Semiconductor
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 400 µA @ 20 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 380 MV @ 1 A
SE100PWJ-M3/I · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 20 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.14 V @ 10 A
SA2B-E3/61T · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 3 µA @ 100 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.1 V @ 2 A
RR2L6SDDTE25 · 전자 부품
- 제조사
- Rohm Semiconductor
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.1 V @ 2 A
SB830F_T0_00001 · 전자 부품
- 제조사
- Panjit International Inc.
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 200 µA @ 30 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 550 MV @ 8 A