제품
ES1GLHR3G · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 400 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.3 V @ 1 A
TSU1M60H · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 80 µA @ 60 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 650 MV @ 1 A
BYX83TR · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 1 µA @ 400 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1 V @ 1 A
VS-VSKD250-04PBF · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 125A
- 동작 접합 온도
- -40°C ~ 150°C
SE30PAJHM3/I · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.16 V @ 3 A
JANTXV1N5712UBCA/TR · 전자 부품
- 제조사
- Microchip Technology
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 75mA
- 동작 접합 온도
- -65°C ~ 150°C
BYT54B-TR · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 100 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.5 V @ 1 A
ESH2PC-M3/84A · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 1 µA @ 150 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 980 MV @ 2 A
BY527TR · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 1 µA @ 800 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.65 V @ 10 A