제품
BAS16GWJ · 전자 부품
- 제조사
- Nexperia USA Inc.
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 500 NA @ 80 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.25 V @ 150 MA
UGF10BCTHE3_A/P · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 5A
- 동작 접합 온도
- -40°C ~ 150°C
SBR2U150SA-13 · 전자 부품
- 제조사
- Diodes Incorporated
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 75 µA @ 150 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 800 MV @ 2 A
DA3X101F0L · 전자 부품
- 제조사
- Panasonic Electronic Components
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 100mA (DC)
- 동작 접합 온도
- 150°C (Max)
MSKD36-08 · 전자 부품
- 제조사
- Microsemi Corporation
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 36A
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.25 V @ 100 A
CMF04(TE12L · 전자 부품
- 제조사
- Toshiba Semiconductor And Storage
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 50 µA @ 800 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 2.5 V @ 500 MA
BAS316Z · 전자 부품
- 제조사
- Nexperia USA Inc.
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 500 NA @ 80 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.25 V @ 150 MA
UGB18DCTHE3_A/P · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 18A
- 동작 접합 온도
- -65°C ~ 150°C
BAS3005A02VH6327XTSA1 · 전자 부품
- 제조사
- Infineon Technologies
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 300 µA @ 30 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 500 MV @ 500 MA
MSCD60-08 · 전자 부품
- 제조사
- Microsemi Corporation
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 60A
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.3 V @ 200 A
RB501V-40_R1_00001 · 전자 부품
- 제조사
- Panjit International Inc.
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 10 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 550 MV @ 100 MA
V40100K-E3/4W · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 20A
- 동작 접합 온도
- -40°C ~ 150°C
1N5061TR · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 1 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.15 V @ 2.5 A