VS-MBRD650CTTRLPBF · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 3A
- 동작 접합 온도
- -40°C ~ 150°C
제품
JANTX1N5806 · 전자 부품
- 제조사
- Microchip Technology
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 1 µA @ 150 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 875 MV @ 1 A
VS-30CTQ035STRLPBF · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 30A
- 동작 접합 온도
- -55°C ~ 175°C
ES1BHE3_A/I · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 100 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 920 MV @ 1 A
CUS05S40 · 전자 부품
- 제조사
- Toshiba Semiconductor And Storage
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 30 µA @ 10 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 350 MV @ 100 MA
1N5615 · 전자 부품
- 제조사
- Microchip Technology
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 500 NA @ 200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.6 V @ 3 A
VS-15CTQ045STRLPBF · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 15A
- 동작 접합 온도
- -55°C ~ 150°C
SE20PAJHM3/I · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.05 V @ 2 A
VS-HFA08TA60CSPBF · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 8A
- 동작 접합 온도
- -55°C ~ 150°C
IDW100E60FKSA1 · 전자 부품
- 제조사
- Infineon Technologies
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 40 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 2 V @ 100 A
BAV21WS-HE3-08 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 100 NA @ 200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.25 V @ 200 MA