제품
SS8P2LHM3_A/H · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 200 µA @ 30 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 570 MV @ 8 A
VS-16CTQ060-N3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 8A
- 동작 접합 온도
- -55°C ~ 175°C
UF1001-T · 전자 부품
- 제조사
- Diodes Incorporated
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 50 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1 V @ 1 A
V60H150PW-M3/4W · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 30A
- 동작 접합 온도
- -40°C ~ 175°C
MBRAD545H · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 100 µA @ 45 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 700 MV @ 5 A
VS-30CTQ045-N3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 15A
- 동작 접합 온도
- -55°C ~ 175°C
B130LB-13-F · 전자 부품
- 제조사
- Diodes Incorporated
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 1 MA @ 30 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 445 MV @ 2 A
RB521CS-30FHT2RA · 전자 부품
- 제조사
- Rohm Semiconductor
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 10 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 350 MV @ 10 MA
VS-12CTQ040-N3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 12A
- 동작 접합 온도
- -55°C ~ 175°C
PNE20080EPE-QZ · 전자 부품
- 제조사
- Nexperia USA Inc.
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 1 µA @ 200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 950 MV @ 8 A
S3GB-TP · 전자 부품
- 제조사
- Micro Commercial Co
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 400 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.15 V @ 3 A
V40150CHM3/4W · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 20A
- 동작 접합 온도
- -55°C ~ 150°C
VS-20CTH03SPBF · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 10A
- 동작 접합 온도
- -65°C ~ 175°C
1N4444 · 전자 부품
- 제조사
- NTE Electronics, Inc
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 50 NA @ 50 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1 V @ 100 MA