1N5806E3 · 전자 부품
- 제조사
- Microchip Technology
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 1 µA @ 150 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 875 MV @ 1 A
제품
ES1DHE3_A/H · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 920 MV @ 1 A
BYV28-150-TR · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 1 µA @ 150 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.1 V @ 5 A
V35PW10-M3/I · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 1 MA @ 100 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 880 MV @ 35 A
BYG10D-E3/TR · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 1 µA @ 200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.15 V @ 1.5 A
NTE5819 · 전자 부품
- 제조사
- NTE Electronics, Inc
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 25 µA @ 200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.4 V @ 12 A
ES07D-GS08 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 980 MV @ 1 A
MSE1PJHM3J/89A · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 1 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.1 V @ 1 A
1N5806 · 전자 부품
- 제조사
- Microchip Technology
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 1 µA @ 150 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 875 MV @ 1 A
BYV98-200-TR · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.1 V @ 5 A