제품
RBR3MM40ATR · 전자 부품
- 제조사
- Rohm Semiconductor
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 80 µA @ 40 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 620 MV @ 3 A
BYC30WT-600PQ · 전자 부품
- 제조사
- WeEn Semiconductors
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 2.75 V @ 30 A
APT40DQ120BG · 전자 부품
- 제조사
- Microchip Technology
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 100 µA @ 1200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 3.3 V @ 40 A
S2B-E3/52T · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 1 µA @ 100 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.15 V @ 1.5 A
FFSP4065BDN-F085 · 전자 부품
- 제조사
- Onsemi
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 40 µA @ 650 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.7 V @ 20 A
VS-30ETU12-M3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 145 µA @ 1200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 2.68 V @ 30 A
DSC10120 · 전자 부품
- 제조사
- Diodes Incorporated
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 640 µA @ 1200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.7 V @ 10 A
MBRB20H35CT-E3/81 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 10A
- 동작 접합 온도
- -65°C ~ 175°C