UGB18DCT-E3/81 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 18A
- 동작 접합 온도
- -65°C ~ 150°C
제품
SE10FJ-M3/H · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.05 V @ 1 A
UGF2006GHC0G · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 20A
- 동작 접합 온도
- -55°C ~ 175°C
FR2B · 전자 부품
- 제조사
- SMC Diode Solutions
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 100 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.3 V @ 2 A
SRF1630HC0G · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 16A
- 동작 접합 온도
- -55°C ~ 125°C
BAS70E6433HTMA1 · 전자 부품
- 제조사
- Infineon Technologies
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 100 NA @ 50 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1 V @ 15 MA
BAT86S-TR · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 40 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 900 MV @ 100 MA
SDUR6030W · 전자 부품
- 제조사
- SMC Diode Solutions
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 300 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.4 V @ 60 A
1N4004E-E3/53 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 400 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.1 V @ 1 A
UGF10L08GA · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 10A
- 동작 접합 온도
- -55°C ~ 150°C
VS-10ETS12FP-M3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 50 µA @ 1200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.1 V @ 10 A
SRF16150HC0G · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 16A
- 동작 접합 온도
- -55°C ~ 125°C
BAV20W · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 100 NA @ 250 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.25 V @ 200 MA
SR32F_R2_00001 · 전자 부품
- 제조사
- Panjit International Inc.
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 100 µA @ 20 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 500 MV @ 3 A