제품
SA2G-E3/61T · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 3 µA @ 400 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.1 V @ 2 A
SE30NG-M3/I · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 400 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.1 V @ 3 A
BAS40W-05-7-F-2477 · 전자 부품
- 제조사
- Diodes Incorporated
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 200mA
- 동작 접합 온도
- -55°C ~ 125°C
ES1BWG_R1_00001 · 전자 부품
- 제조사
- Panjit International Inc.
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 1 µA @ 100 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 950 MV @ 1 A
RS1GL · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 400 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.3 V @ 800 MA
SD103BW-HE3-08 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 20 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 600 MV @ 200 MA
BAS40-04-7-F-79 · 전자 부품
- 제조사
- Diodes Incorporated
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 200mA (DC)
- 동작 접합 온도
- -55°C ~ 125°C
PU2BFSH · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 2 µA @ 100 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 930 MV @ 2 A
BAS40DW-05-7-F-2477 · 전자 부품
- 제조사
- Diodes Incorporated
- 평균 정류 전류 (Io) / 다이오드
- 200mA
- 동작 접합 온도
- -55°C ~ 125°C
SD103AW-HE3-18 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 30 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 600 MV @ 200 MA
BAS16T-7-F · 전자 부품
- 제조사
- Diodes Incorporated
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 2 µA @ 75 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1 V @ 50 MA