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BYW55-TAP · 전자 부품

제조사: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Vr 조건의 역방향 누설 전류: 1 µA @ 800 V
If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf): 1 V @ 1 A

PG2010_R2_00001 · 전자 부품

제조사: Panjit International Inc.
Vr 조건의 역방향 누설 전류: 1 µA @ 1000 V
If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf): 1.1 V @ 2 A

RFN2L4STE25 · 전자 부품

제조사: Rohm Semiconductor
Vr 조건의 역방향 누설 전류: 1 µA @ 400 V
If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf): 1.2 V @ 1.5 A

VSSAF3L45-M3/6A · 전자 부품

제조사: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Vr 조건의 역방향 누설 전류: 450 µA @ 45 V
If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf): 540 MV @ 3 A

SD103CWS-G3-08 · 전자 부품

제조사: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Vr 조건의 역방향 누설 전류: 5 µA @ 10 V
If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf): 600 MV @ 200 MA

BD5150YS_S2_00001 · 전자 부품

제조사: Panjit International Inc.
Vr 조건의 역방향 누설 전류: 50 µA @ 150 V
If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf): 900 MV @ 5 A

V8PM15-M3/H · 전자 부품

제조사: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Vr 조건의 역방향 누설 전류: 150 µA @ 150 V
If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf): 1.08 V @ 8 A

RS1G · 전자 부품

제조사: Taiwan Semiconductor Corporation
Vr 조건의 역방향 누설 전류: 5 µA @ 400 V
If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf): 1.3 V @ 1 A

PU4DCH · 전자 부품

제조사: Taiwan Semiconductor Corporation
Vr 조건의 역방향 누설 전류: 2 µA @ 200 V
If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf): 930 MV @ 4 A

GP15M-E3/73 · 전자 부품

제조사: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Vr 조건의 역방향 누설 전류: 5 µA @ 1000 V
If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf): 1.1 V @ 1.5 A

V8P45-M3/86A · 전자 부품

제조사: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Vr 조건의 역방향 누설 전류: 600 µA @ 45 V
If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf): 580 MV @ 8 A

V3FM15-M3/I · 전자 부품

제조사: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Vr 조건의 역방향 누설 전류: 85 µA @ 150 V
If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf): 1.24 V @ 3 A

DFLS230LQ-7 · 전자 부품

제조사: Diodes Incorporated
Vr 조건의 역방향 누설 전류: 1 MA @ 30 V
If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf): 420 MV @ 2 A

VS-30WQ04FNTRL-M3 · 전자 부품

제조사: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Vr 조건의 역방향 누설 전류: 2 MA @ 40 V
If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf): 530 MV @ 3 A

B130-M3/61T · 전자 부품

제조사: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Vr 조건의 역방향 누설 전류: 200 µA @ 30 V
If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf): 520 MV @ 1 A

BYV26EGP-E3/54 · 전자 부품

제조사: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Vr 조건의 역방향 누설 전류: 5 µA @ 1000 V
If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf): 2.5 V @ 1 A

B120-M3/5AT · 전자 부품

제조사: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Vr 조건의 역방향 누설 전류: 200 µA @ 20 V
If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf): 520 MV @ 1 A

BYV16-TR · 전자 부품

제조사: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Vr 조건의 역방향 누설 전류: 5 µA @ 1000 V
If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf): 1.5 V @ 1 A