제품
ES2G-E3/5BT · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 400 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.1 V @ 2 A
BYV5ED-600PJ · 전자 부품
- 제조사
- WeEn Semiconductors
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.8 V @ 5 A
RS07G-GS18 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 400 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.15 V @ 700 MA
SS215L · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 100 µA @ 150 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 850 MV @ 2 A
SF32G-AP · 전자 부품
- 제조사
- Micro Commercial Co
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 100 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 950 MV @ 3 A
SE8D20JHM3/H · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.1 V @ 2 A
SS1P5L-M3/84A · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 100 µA @ 50 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 590 MV @ 1 A
SR210H · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 100 µA @ 100 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 850 MV @ 2 A
