제품
1N4506 · 전자 부품
- 제조사
- Microchip Technology
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.2 V @ 30 A
JANS1N5616 · 전자 부품
- 제조사
- Microchip Technology
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 500 NA @ 400 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.3 V @ 3 A
VS-T85HFL10S02 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 20 MA @ 100 V
- 역회복 시간 (trr)
- 200 Ns
JANS1N5809US · 전자 부품
- 제조사
- Microchip Technology
- 동작 접합 온도
- -65°C ~ 175°C
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 875 MV @ 4 A
1N4459R · 전자 부품
- 제조사
- Microchip Technology
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 50 µA @ 1000 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.5 V @ 15 A
1N4507 · 전자 부품
- 제조사
- Microchip Technology
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 400 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.2 V @ 30 A
VS-T85HFL20S05 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 20 MA @ 200 V
- 역회복 시간 (trr)
- 500 Ns
JANS1N6642UB/TR · 전자 부품
- 제조사
- Microchip Technology
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.2 V @ 100 MA
- Vr, F 조건의 정전 용량
- 5pF @ 0V, 1MHz
VS-T85HFL60S05 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 20 MA @ 600 V
- 역회복 시간 (trr)
- 500 Ns
VS-T85HFL40S02 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 20 MA @ 400 V
- 역회복 시간 (trr)
- 200 Ns
VS-T85HFL20S02 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 20 MA @ 200 V
- 역회복 시간 (trr)
- 200 Ns
VS-150KS60 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 35 MA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.33 V @ 471 A