ES3C-E3/9AT · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 150 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 900 MV @ 3 A
제품
RGL34K-E3/83 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 800 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.3 V @ 500 MA
UG1D-E3/73 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 950 MV @ 1 A
IDM08G120C5XTMA1 · 전자 부품
- 제조사
- Infineon Technologies
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 40 µA @ 1200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.95 V @ 8 A
SDT10100P5-7D · 전자 부품
- 제조사
- Diodes Incorporated
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 80 µA @ 100 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 700 MV @ 10 A
IDDD10G65C6XTMA1 · 전자 부품
- 제조사
- Infineon Technologies
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 33 µA @ 420 V
- 동작 접합 온도
- -55°C ~ 175°C
VS-1EMH02HM3/5AT · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 2 µA @ 200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 900 MV @ 1 A
MUR320SBH · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 900 MV @ 3 A
IDL06G65C5XUMA2 · 전자 부품
- 제조사
- Infineon Technologies
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 110 µA @ 650 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.7 V @ 6 A