제품
RFN10NS4STL · 전자 부품
- 제조사
- Rohm Semiconductor
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 430 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.55 V @ 10 A
BYT52D-TR · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.3 V @ 1 A
MA3X028WAL · 전자 부품
- 제조사
- Panasonic Electronic Components
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 1 µA @ 6 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.28 V @ 3 MA
NS8BT-E3/45 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 100 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.1 V @ 8 A
BYT54D-TAP · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.5 V @ 1 A
V8P45-M3/87A · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 600 µA @ 45 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 580 MV @ 8 A
P600M-E3/73 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 1000 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1 V @ 6 A
LXA04T600 · 전자 부품
- 제조사
- Power Integrations
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 250 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 2.96 V @ 4 A