제품
VS-3EJH02HM3/6B · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 2 µA @ 200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 930 MV @ 3 A
VS-MBRD320TRR-M3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 200 µA @ 20 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 600 MV @ 3 A
HS5J · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 600 V
- 동작 접합 온도
- -55°C ~ 150°C
RFN2VWM2STR · 전자 부품
- 제조사
- Rohm Semiconductor
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 1 µA @ 200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 990 MV @ 2 A
VS-C4PU6006L-N3 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 50 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.6 V @ 30 A
CMS08(TE12L · 전자 부품
- 제조사
- Toshiba Semiconductor And Storage
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 1.5 MA @ 30 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 370 MV @ 3 A
SF48G · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.7 V @ 4 A