FESB8JT-E3/81 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.5 V @ 8 A
제품
ES3C-E3/57T · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 150 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 900 MV @ 3 A
VS-SD1100C12C · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 35 MA @ 1200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.31 V @ 1500 A
US1GHE3_A/H · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 400 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1 V @ 1 A
VS-150U120D · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 동작 접합 온도
- -40°C ~ 180°C
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.47 V @ 600 A
RBR1LAM40ATR · 전자 부품
- 제조사
- Rohm Semiconductor
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 50 µA @ 40 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 520 MV @ 1 A
1N5614US · 전자 부품
- 제조사
- Microchip Technology
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 500 NA @ 200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.3 V @ 3 A
VSS8D2M15HM3/I · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 150 µA @ 150 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 700 MV @ 1 A