제품
FES8JT-E3/45 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.5 V @ 8 A
RB541VM-40TE-17 · 전자 부품
- 제조사
- Rohm Semiconductor
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 100 µA @ 40 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 610 MV @ 100 MA
GS1GFL-TP · 전자 부품
- 제조사
- Micro Commercial Co
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 400 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1 V @ 1 A
FES8GT-E3/45 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 400 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.3 V @ 8 A
BAT54 · 전자 부품
- 제조사
- SMC Diode Solutions
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 2 µA @ 25 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1 V @ 100 MA
TRS2E65F · 전자 부품
- 제조사
- Toshiba Semiconductor And Storage
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 20 µA @ 650 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.6 V @ 2 A
BAT54W-HG3-08 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 2 µA @ 25 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 800 MV @ 100 MA
NS8KT-E3/45 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 800 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.1 V @ 8 A