제품
1SS196(TE85L · 전자 부품
- 제조사
- Toshiba Semiconductor And Storage
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 500 NA @ 80 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.2 V @ 100 MA
VS-10BQ015HM3/5BT · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 500 µA @ 15 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 330 MV @ 1 A
BAT42WS-E3-18 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 500 NA @ 25 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 650 MV @ 50 MA
ER3GB-TP · 전자 부품
- 제조사
- Micro Commercial Co
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 400 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.25 V @ 3 A
PMEG3005EGWJ · 전자 부품
- 제조사
- Nexperia USA Inc.
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 150 µA @ 30 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 430 MV @ 500 MA
S3G-E3/9AT · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 400 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.15 V @ 2.5 A
RF071MM2STFTR · 전자 부품
- 제조사
- Rohm Semiconductor
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 200 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 850 MV @ 700 MA
VS-VSKE320-20PBF · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 50 MA @ 2000 V
- 동작 접합 온도
- -40°C ~ 150°C