1SS88TD-E · 전자 부품
- 제조사
- Renesas Electronics America Inc
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 200 NA @ 250 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1 V @ 100 MA
제품
SDT15H50P5-13 · 전자 부품
- 제조사
- Diodes Incorporated
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 500 µA @ 50 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 470 MV @ 15 A
BAT54-02V-G3-08 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 2 µA @ 25 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 800 MV @ 100 MA
SBR8E60P5-13 · 전자 부품
- 제조사
- Diodes Incorporated
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 580 µA @ 60 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 530 MV @ 8 A
CMS15I40A(TE12L · 전자 부품
- 제조사
- Toshiba Semiconductor And Storage
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 100 µA @ 40 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 490 MV @ 1.5 A
PMEG3010EGWJ · 전자 부품
- 제조사
- Nexperia USA Inc.
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 150 µA @ 30 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 560 MV @ 1 A
GS1010FL_R1_00001 · 전자 부품
- 제조사
- Panjit International Inc.
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 1 µA @ 1000 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.1 V @ 1 A
S8KS-E3/I · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 800 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 985 MV @ 8 A