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TLC271BIS-13 · 전자 부품

제조사: Diodes Incorporated
증폭기 유형: CMOS
슬루율: 4.6 V/µs

SS5P10-M3/87A · 전자 부품

제조사: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Vr 조건의 역방향 누설 전류: 15 µA @ 100 V
If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf): 880 MV @ 5 A

MCP6401T-H/OT · 전자 부품

제조사: Microchip Technology
증폭기 유형: 범용
슬루율: 0.5 V/µs

AD8638ARZ · 전자 부품

제조사: ADI / Analog Devices Inc.
증폭기 유형: 제로 드리프트
슬루율: 2 V/µs

OPA4342UA · 전자 부품

제조사: Texas Instruments
증폭기 유형: 범용
슬루율: 1 V/µs

LM358DMR2G · 전자 부품

제조사: Onsemi
증폭기 유형: 범용
슬루율: 0.6 V/µs

MAX9923HEUB+ · 전자 부품

제조사: Maxim Integrated
증폭기 유형: 전류 감지
슬루율: 0.4 V/µs

MURS240T3G · 전자 부품

제조사: Onsemi
Vr 조건의 역방향 누설 전류: 5 µA @ 400 V
If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf): 1.3 V @ 2 A

AS358MMTR-G1 · 전자 부품

제조사: Diodes Incorporated
증폭기 유형: 범용
입력 오프셋 전압: 2mV

MAX4252ESA+ · 전자 부품

제조사: Maxim Integrated
증폭기 유형: 범용
슬루율: 0.3 V/µs

LM324DG · 전자 부품

제조사: Onsemi
증폭기 유형: 범용
슬루율: 0.6 V/µs

MAX44246ASA+ · 전자 부품

제조사: Maxim Integrated
증폭기 유형: 범용
슬루율: 3.8 V/µs

LM348DR · 전자 부품

제조사: Texas Instruments
증폭기 유형: 범용
슬루율: 0.5 V/µs

VS-8EWS16S-M3 · 전자 부품

제조사: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Vr 조건의 역방향 누설 전류: 50 µA @ 1600 V
If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf): 1.1 V @ 8 A

AD8604ARZ · 전자 부품

제조사: ADI / Analog Devices Inc.
증폭기 유형: 범용
슬루율: 6 V/µs

AP4313KTR-G1 · 전자 부품

제조사: Diodes Incorporated
증폭기 유형: 전류 감지
회로 수: 1

TL071CPSR · 전자 부품

제조사: Texas Instruments
증폭기 유형: J-FET
슬루율: 13 V/µs

LM10CWM/NOPB · 전자 부품

제조사: Texas Instruments
증폭기 유형: 범용
입력 오프셋 전압: 500µV