S1G · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 1 µA @ 400 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.1 V @ 1 A
제품
V10PWL63HM3/I · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 250 µA @ 60 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 580 MV @ 10 A
B160AE-13 · 전자 부품
- 제조사
- Diodes Incorporated
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 200 µA @ 60 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 650 MV @ 1 A
SS10P5HM3_A/I · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 150 µA @ 50 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 670 MV @ 7 A
SD103BW-E3-18 · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 20 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 600 MV @ 200 MA
MURS360HE3_A/H · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.28 V @ 3 A
RGP15M · 전자 부품
- 제조사
- NTE Electronics, Inc
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 5 µA @ 1000 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.3 V @ 1.5 A
MBRAD10150H · 전자 부품
- 제조사
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 10 µA @ 150 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 880 MV @ 10 A
PG1510_R2_00001 · 전자 부품
- 제조사
- Panjit International Inc.
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 1 µA @ 1000 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.1 V @ 1.5 A
SBR3U150LP-7 · 전자 부품
- 제조사
- Diodes Incorporated
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 2 MA @ 150 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 910 MV @ 3 A
PG206R_R2_00001 · 전자 부품
- 제조사
- Panjit International Inc.
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 1 µA @ 600 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 1.3 V @ 2 A
SS10P5-M3/87A · 전자 부품
- 제조사
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vr 조건의 역방향 누설 전류
- 150 µA @ 50 V
- If 조건의 최대 순방향 전압 (Vf)
- 550 MV @ 7 A