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電子部品

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NRVTS2H60ESFT1G · 電子部品

メーカー: Onsemi
Vr条件での逆方向漏れ電流: 12 µA @ 60 V
If条件での最大順方向電圧（Vf）: 650 MV @ 2 A

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UH4PBC-M3/87A · 電子部品

メーカー: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
平均整流電流（Io） / ダイオード: 2A
動作接合温度: -55°C ~ 175°C

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SS2PH10HM3_A/H · 電子部品

メーカー: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Vr条件での逆方向漏れ電流: 1 µA @ 100 V
If条件での最大順方向電圧（Vf）: 800 MV @ 2 A

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UH4PBC-M3/86A · 電子部品

メーカー: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
平均整流電流（Io） / ダイオード: 2A
動作接合温度: -55°C ~ 175°C

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B240A-E3/61T · 電子部品

メーカー: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Vr条件での逆方向漏れ電流: 500 µA @ 40 V
If条件での最大順方向電圧（Vf）: 550 MV @ 2 A

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BYQ28EF-200-E3/45 · 電子部品

メーカー: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
平均整流電流（Io） / ダイオード: 5A
動作接合温度: -40°C ~ 150°C

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SBRT5A50SA-13 · 電子部品

メーカー: Diodes Incorporated
Vr条件での逆方向漏れ電流: 150 µA @ 50 V
If条件での最大順方向電圧（Vf）: 530 MV @ 5 A

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SS8P5CHM3/87A · 電子部品

メーカー: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
平均整流電流（Io） / ダイオード: 4A
動作接合温度: -55°C ~ 150°C

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MBRA120ET3G · 電子部品

メーカー: Onsemi
Vr条件での逆方向漏れ電流: 10 µA @ 20 V
If条件での最大順方向電圧（Vf）: 530 MV @ 1 A

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UGB8HCT-E3/81 · 電子部品

メーカー: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
平均整流電流（Io） / ダイオード: 4A
動作接合温度: -55°C ~ 150°C

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BAS3010B03WE6327HTSA1 · 電子部品

メーカー: Infineon Technologies
Vr条件での逆方向漏れ電流: 20 µA @ 30 V
If条件での最大順方向電圧（Vf）: 550 MV @ 1 A

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SS8P3CLHM3/86A · 電子部品

メーカー: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
平均整流電流（Io） / ダイオード: 4A
動作接合温度: -55°C ~ 150°C

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S3D-13-F · 電子部品

メーカー: Diodes Incorporated
Vr条件での逆方向漏れ電流: 10 µA @ 200 V
If条件での最大順方向電圧（Vf）: 1.15 V @ 3 A

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SBLB2030CTHE3/81 · 電子部品

メーカー: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
平均整流電流（Io） / ダイオード: 10A
動作接合温度: -55°C ~ 150°C

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SS23S-E3/61T · 電子部品

メーカー: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Vr条件での逆方向漏れ電流: 200 µA @ 30 V
If条件での最大順方向電圧（Vf）: 550 MV @ 2 A

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BYQ28EF-100-E3/45 · 電子部品

メーカー: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
平均整流電流（Io） / ダイオード: 5A
動作接合温度: -40°C ~ 150°C

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S115FP · 電子部品

メーカー: Onsemi
Vr条件での逆方向漏れ電流: 50 µA @ 150 V
If条件での最大順方向電圧（Vf）: 900 MV @ 1 A

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UGB18BCTHE3_A/I · 電子部品

メーカー: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
平均整流電流（Io） / ダイオード: 18A
動作接合温度: -65°C ~ 150°C

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