AI生成のカテゴリーイラストです。製品の実物写真ではありません。ES1PD-M3/84A · 電子部品メーカーVishay General Semiconductor - Diodes DivisionVr条件での逆方向漏れ電流5 µA @ 200 VIf条件での最大順方向電圧(Vf)920 MV @ 1 A 見積もり依頼
AI生成のカテゴリーイラストです。製品の実物写真ではありません。MBRTA40040L · 電子部品メーカーGeneSiC Semiconductor平均整流電流(Io) / ダイオード200A動作接合温度-55°C ~ 150°C 見積もり依頼
BAS21WTHE3-TP · 電子部品メーカーMicro Commercial CoVr条件での逆方向漏れ電流100 NA @ 200 VIf条件での最大順方向電圧(Vf)1.25 V @ 200 MA 見積もり依頼
AI生成のカテゴリーイラストです。製品の実物写真ではありません。MBRTA80030L · 電子部品メーカーGeneSiC Semiconductor平均整流電流(Io) / ダイオード400A動作接合温度-40°C ~ 100°C 見積もり依頼
AI生成のカテゴリーイラストです。製品の実物写真ではありません。NTE5926 · 電子部品メーカーNTE Electronics, IncVr条件での逆方向漏れ電流10 MA @ 1200 VIf条件での最大順方向電圧(Vf)1.4 V @ 60 A 見積もり依頼
AI生成のカテゴリーイラストです。製品の実物写真ではありません。MBRTA600200R · 電子部品メーカーGeneSiC Semiconductor平均整流電流(Io) / ダイオード300A動作接合温度-55°C ~ 150°C 見積もり依頼
RF101LAM2STFTR · 電子部品メーカーRohm SemiconductorVr条件での逆方向漏れ電流10 µA @ 200 VIf条件での最大順方向電圧(Vf)870 MV @ 1 A 見積もり依頼
AI生成のカテゴリーイラストです。製品の実物写真ではありません。VS-70HF120M · 電子部品メーカーVishay General Semiconductor - Diodes Division動作接合温度-65°C ~ 180°CIf条件での最大順方向電圧(Vf)1.35 V @ 220 A 見積もり依頼
AI生成のカテゴリーイラストです。製品の実物写真ではありません。MBRTA40030L · 電子部品メーカーGeneSiC Semiconductor平均整流電流(Io) / ダイオード200A動作接合温度-55°C ~ 150°C 見積もり依頼
AI生成のカテゴリーイラストです。製品の実物写真ではありません。BAS16D-E3-18 · 電子部品メーカーVishay General Semiconductor - Diodes DivisionVr条件での逆方向漏れ電流1 µA @ 75 VIf条件での最大順方向電圧(Vf)1.25 V @ 150 MA 見積もり依頼
AI生成のカテゴリーイラストです。製品の実物写真ではありません。MBRTA80020L · 電子部品メーカーGeneSiC Semiconductor平均整流電流(Io) / ダイオード400A動作接合温度-55°C ~ 150°C 見積もり依頼
AI生成のカテゴリーイラストです。製品の実物写真ではありません。BYG10YHE3_A/I · 電子部品メーカーVishay General Semiconductor - Diodes DivisionVr条件での逆方向漏れ電流1 µA @ 1600 VIf条件での最大順方向電圧(Vf)1.15 V @ 1.5 A 見積もり依頼
AI生成のカテゴリーイラストです。製品の実物写真ではありません。MBRTA50035 · 電子部品メーカーGeneSiC Semiconductor平均整流電流(Io) / ダイオード250A動作接合温度-55°C ~ 150°C 見積もり依頼
AI生成のカテゴリーイラストです。製品の実物写真ではありません。NTE6073 · 電子部品メーカーNTE Electronics, IncVr条件での逆方向漏れ電流2 MA @ 1000 VIf条件での最大順方向電圧(Vf)1.25 V @ 20 MA 見積もり依頼
AI生成のカテゴリーイラストです。製品の実物写真ではありません。FFSH30120A · 電子部品メーカーOnsemiVr条件での逆方向漏れ電流200 µA @ 1200 V動作接合温度-55°C ~ 175°C 見積もり依頼
AI生成のカテゴリーイラストです。製品の実物写真ではありません。MBRTA800150R · 電子部品メーカーGeneSiC Semiconductor平均整流電流(Io) / ダイオード400A動作接合温度-55°C ~ 150°C 見積もり依頼