製品
GD30MPS06H
GD30MPS06H · 電子部品
製品情報
- メーカー:
- GeneSiC Semiconductor
- 型番:
- GD30MPS06H
- 動作接合温度:
- -55°C ~ 175°C
- Vr・F条件での静電容量:
- 735pF @ 1V, 1MHz
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製品識別情報
| パラメーター | 値 |
|---|---|
| カテゴリー | ディスクリート半導体・単体整流ダイオード |
| シリーズ | SiC Schottky MPS™ |
| メーカー | GeneSiC Semiconductor |
| 基本製品番号 | GD30MPS06 |
電気的特性
| パラメーター | 値 |
|---|---|
| 動作接合温度 | -55°C ~ 175°C |
| Vr・F条件での静電容量 | 735pF @ 1V, 1MHz |
| 技術 | SiC（炭化ケイ素）ショットキー |
| 最大直流逆電圧（Vr） | 650 V |
| 平均整流電流（Io） | 49A |
| 速度 | 回復時間なし > 500mA (Io) |
パッケージ・機械仕様
| パラメーター | 値 |
|---|---|
| 実装方式 | スルーホール実装 |
| メーカー指定パッケージ | –-247-2 |
| パッケージ／ケース | チューブ |
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製品概要
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