製品
MJ15022
MJ15022 · Micron / ISSI / Samsung · 集積回路
製品情報
- 型番:
- MJ15022
- 動作温度:
- C
- 用途:
- 汎用
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同一型番・一貫したパラメーター
製品識別情報
| パラメーター | 値 |
|---|---|
| 説明 | MJ15022 MJ15023 |
電気的特性
| パラメーター | 値 |
|---|---|
| 動作温度 | C |
| 用途 | 汎用 |
| 最大電力 | W |
| 出力電力 | W |
パッケージ・機械仕様
| パラメーター | 値 |
|---|---|
| 実装方式 | MJ15022 MJ15023, スルーホール実装 |
| パッケージ／ケース | –-3 |
該当するパラメーターがありません
この型番のパラメーターです。パッケージと測定条件はメーカーのデータシートをご確認ください。
原文の項目・英語 · 28
一部の原文項目は翻訳待ちのため、下部に英語で分けて掲載しています。
| Type | Transistor, Other, MOSFET |
|---|---|
| Package Type | Throught Hole |
| Brand | Transistor |
| Current - Collector (Ic) (Max) | A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | N |
| Current - Collector Cutoff (Max) | N |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | N |
| Frequency - Transition | N |
| Resistor - Base (R1) | R |
| Resistor - Emitter Base (R2) | R |
| FET Type | N |
| Drain To Source Voltage (Vdss) | V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | N |
| Vgs(th) (Max) @ Id | N |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | N |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | N |
| Frequency | N |
| Current Rating (Amps) | A |
| Noise Figure | N |
| Voltage - Rated | V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | V |
| Vgs (Max) | V |
| IGBT Type | N |
| Applications | Ic Chips |
| Lead Free Status | RoHS Compliant |
| Packing | Standard Package |
製品概要
翻訳済みの概要はまだありません。下部にこの型番のパラメーターを掲載しています。
