製品
1N4448
1N4448 · ROHM / UTC · 集積回路
製品情報
- 型番:
- 1N4448
- 種類:
- IC CHIP
- 平均整流電流（Io）:
- 200mA
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同一型番・一貫したパラメーター
製品識別情報
| パラメーター | 値 |
|---|---|
| 説明 | DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 |
電気的特性
| パラメーター | 値 |
|---|---|
| 種類 | IC CHIP |
| 平均整流電流（Io） | 200mA |
| If条件での最大順方向電圧（Vf） | 1V @ 100mA |
| Vr条件での逆方向漏れ電流 | 5uA @ 75V |
| 最大直流逆電圧（Vr） | 8327382 |
| 速度 | 小信号 =< 200mA (Io)、全速度 |
| 逆回復時間（trr） | 4ns |
| Vr・F条件での静電容量 | 2pF @ 0V, 1MHz |
| 動作温度範囲 | - 55 C – + 150 C |
パッケージ・機械仕様
| パラメーター | 値 |
|---|---|
| 実装方式 | 153821123 |
| パッケージ／ケース | 表面実装 |
該当するパラメーターがありません
この型番のパラメーターです。パッケージと測定条件はメーカーのデータシートをご確認ください。
原文の項目・英語 · 6
一部の原文項目は翻訳待ちのため、下部に英語で分けて掲載しています。
| Application | Diodes -General Purpose, Power, Switching |
|---|---|
| Package / Case | DO-204AH, DO-35, Axial |
| Product | Switching Diodes |
| Recovery Time | 4 Ns |
| Forward Voltage Drop | 1.2 V |
| Maximum Power Dissipation | 350 MW |
製品概要
翻訳済みの概要はまだありません。下部にこの型番のパラメーターを掲載しています。
