製品
SI2301CDS-T1-GE3
SI2301CDS-T1-GE3 · Vishay · 集積回路
製品情報
- メーカー:
- VI-SHAY
- 型番:
- SI2301CDS-T1-GE3
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製品識別情報
| パラメーター | 値 |
|---|---|
| 型番 | SI2301CDS-T1-GE3 |
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原文の項目・英語 · 1
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| Description | SI2301CDS-T1-GE3 |
|---|
製品概要
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MT41K256M16TW-107 IT:PDigi-Key Part NumberSI2301CDS-T1-GE3TR-ND - Tape & Reel (TR)SI2301CDS-T1-GE3CT-ND - Cut Tape (CT)SI2301CDS-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®ManufacturerVishay SiliconixManufacturer Product NumberSI2301CDS-T1-GE3DescriptionMOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3Manufacturer Standard Lead Time99 WeeksDetailed DescriptionP-Channel 20 V 3.1A (Tc) 860mW (Ta), 1.6W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) Manufacturer:VishayProduct Category:MOSFETRoHS: DetailsTechnology:SiMounting Style:SMD/SMTPackage / Case:SOT-23-3Transistor Polarity:P-ChannelNumber of Channels:1 ChannelVds - Drain-Source Breakdown Voltage:20 VId - Continuous Drain Current:3.1 ARds On - Drain-Source Resistance:112 mOhmsVgs - Gate-Source Voltage:- 8 V, + 8 VVgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1 VQg - Gate Charge:3.3 nCMinimum Operating Temperature:- 55 CMaximum Operating Temperature:+ 150 CPd - Power Dissipation:1.6 WChannel Mode:EnhancementTradename:TrenchFETSeries:SI2Packaging:ReelPackaging:Cut TapePackaging:MouseReelBrand:Vishay SemiconductorsConfiguration:SingleFall Time:10 nsProduct Type:MOSFETRise Time:35 nsFactory Pack Quantity:3000Subcategory:MOSFETsTransistor Type:1 P-ChannelTypical Turn-Off Delay Time:30 nsTypical Turn-On Delay Time:11 nsPart # Aliases:SI2301CDS-T1-BE3 SI2301CDS-GE3Unit Weight:0.000282 oz
