LSK389B · Diodi e transistor
- Produttore
- Linear Integrated Systems, Inc.
- Temperatura operativa
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Potenza massima
- 400 MW
Diodi e transistor
LSK189 · Diodi e transistor
- Produttore
- Linear Integrated Systems, Inc.
- Tipo di FET
- Canale N
- Temperatura operativa
- -55°C ~ 150°C (TJ)
SST113 · Diodi e transistor
- Produttore
- Linear Integrated Systems, Inc.
- Tipo di FET
- Canale N
- Potenza massima
- 350 MW
U422 · Diodi e transistor
- Produttore
- Linear Integrated Systems, Inc.
- Potenza massima
- 500 MW
- Temperatura operativa
- -55°C ~ 150°C (TJ)
LS5911 · Diodi e transistor
- Produttore
- Linear Integrated Systems, Inc.
- Potenza massima
- 500 MW
- Temperatura operativa
- -55°C ~ 150°C (TJ)
LSK389D · Diodi e transistor
- Produttore
- Linear Integrated Systems, Inc.
- Potenza massima
- 400 MW
- Temperatura operativa
- -55°C ~ 150°C (TJ)
LS5912C · Diodi e transistor
- Produttore
- Linear Integrated Systems, Inc.
- Potenza massima
- 500 MW
- Temperatura operativa
- -55°C ~ 150°C (TJ)
LS5912 · Diodi e transistor
- Produttore
- Linear Integrated Systems, Inc.
- Potenza massima
- 500 MW
- Temperatura operativa
- -55°C ~ 150°C (TJ)
LS842 · Diodi e transistor
- Produttore
- Linear Integrated Systems, Inc.
- Potenza massima
- 400 MW
- Temperatura operativa
- -55°C ~ 150°C (TJ)
LS845 · Diodi e transistor
- Produttore
- Linear Integrated Systems, Inc.
- Potenza massima
- 400 MW
- Temperatura operativa
- -55°C ~ 150°C (TJ)
LS3954 · Diodi e transistor
- Produttore
- Linear Integrated Systems, Inc.
- Potenza massima
- 400 MW
- Temperatura operativa
- -55°C ~ 150°C (TJ)
U406 · Diodi e transistor
- Produttore
- Linear Integrated Systems, Inc.
- Temperatura operativa
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Potenza massima
- 300 MW
LS5911 · Diodi e transistor
- Produttore
- Linear Integrated Systems, Inc.
- Temperatura operativa
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Potenza massima
- 500 MW
2N4119A · Diodi e transistor
- Produttore
- Linear Integrated Systems, Inc.
- Tipo di FET
- Canale N
- Potenza massima
- 300 MW
LSK170B · Diodi e transistor
- Produttore
- Linear Integrated Systems, Inc.
- Tipo di FET
- Canale N
- Temperatura operativa
- -55°C ~ 135°C (TJ)
J174 · Diodi e transistor
- Produttore
- Linear Integrated Systems, Inc.
- Tipo di FET
- Canale P
- Potenza massima
- 350 MW
2N4393 · Diodi e transistor
- Produttore
- Linear Integrated Systems, Inc.
- Tipo di FET
- Canale N
- Temperatura operativa
- -55°C ~ 200°C (TJ)
2N4391 · Diodi e transistor
- Produttore
- Linear Integrated Systems, Inc.
- Tipo di FET
- Canale N
- Temperatura operativa
- -55°C ~ 200°C (TJ)