Diodi e transistor
LS830 · Diodi e transistor
- Produttore
- Linear Integrated Systems, Inc.
- Temperatura operativa
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Potenza massima
- 500 MW
U404 · Diodi e transistor
- Produttore
- Linear Integrated Systems, Inc.
- Temperatura operativa
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Potenza massima
- 300 MW
LSK189 · Diodi e transistor
- Produttore
- Linear Integrated Systems, Inc.
- Tipo di FET
- Canale N
- Potenza massima
- 300 MW
2N4392 · Diodi e transistor
- Produttore
- Linear Integrated Systems, Inc.
- Tipo di FET
- Canale N
- Temperatura operativa
- -55°C ~ 200°C (TJ)
SST402 · Diodi e transistor
- Produttore
- Linear Integrated Systems, Inc.
- Temperatura operativa
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Potenza massima
- 300 MW
UJ3N065025K3S · Diodi e transistor
- Produttore
- Qorvo
- Tipo di FET
- Canale N
- Potenza massima
- 441 W
LSK489A · Diodi e transistor
- Produttore
- Linear Integrated Systems, Inc.
- Potenza massima
- 500 MW
- Temperatura operativa
- -55°C ~ 150°C (TJ)
SST4118 · Diodi e transistor
- Produttore
- Linear Integrated Systems, Inc.
- Tipo di FET
- Canale N
- Potenza massima
- 300 MW
U421 · Diodi e transistor
- Produttore
- Linear Integrated Systems, Inc.
- Potenza massima
- 500 MW
- Temperatura operativa
- -55°C ~ 150°C (TJ)
LS5911 · Diodi e transistor
- Produttore
- Linear Integrated Systems, Inc.
- Potenza massima
- 500 MW
- Temperatura operativa
- -55°C ~ 150°C (TJ)
LS844 · Diodi e transistor
- Produttore
- Linear Integrated Systems, Inc.
- Potenza massima
- 400 MW
- Temperatura operativa
- -55°C ~ 150°C (TJ)
LS844 · Diodi e transistor
- Produttore
- Linear Integrated Systems, Inc.
- Potenza massima
- 400 MW
- Temperatura operativa
- -55°C ~ 150°C (TJ)
LS320 · Diodi e transistor
- Produttore
- Linear Integrated Systems, Inc.
- Tipo di FET
- Canale P
- Potenza massima
- 200 MW
LSJ74C · Diodi e transistor
- Produttore
- Linear Integrated Systems, Inc.
- Tipo di FET
- Canale P
- Temperatura operativa
- -55°C ~ 135°C (TJ)
2N5114 · Diodi e transistor
- Produttore
- Linear Integrated Systems, Inc.
- Tipo di FET
- Canale P
- Potenza massima
- 500 MW