2N4118A-E3 · Diodi e transistor
- Produttore
- Vishay Siliconix
- Tipo di FET
- Canale N
- Potenza massima
- 300 MW
Diodi e transistor
2N4860 · Diodi e transistor
- Produttore
- Solid State Inc.
- Tipo di FET
- Canale N
- Potenza massima
- 300 MW
J175_D74Z · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Tipo di FET
- Canale P
- Temperatura operativa
- -55°C ~ 150°C (TJ)
MMBF5462 · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Tipo di FET
- Canale P
- Potenza massima
- 225 MW
2N4117A-2 · Diodi e transistor
- Produttore
- Vishay Siliconix
- Tipo di FET
- Canale N
- Potenza massima
- 300 MW
JFE150DBVT · Diodi e transistor
- Produttore
- Texas Instruments
- Tipo di FET
- Canale N
- Temperatura operativa
- -55°C ~ 150°C (TJ)
J174 · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Tipo di FET
- Canale P
- Temperatura operativa
- -55°C ~ 150°C (TJ)
PMBFJ113 · Diodi e transistor
- Produttore
- NXP USA Inc.
- Tipo di FET
- Canale N
- Potenza massima
- 300 MW
MMBFJ305 · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Tipo di FET
- Canale N
- Potenza massima
- 225 MW
MQ2N2608UB · Diodi e transistor
- Produttore
- Microchip Technology
- Tipo di FET
- Canale P
- Potenza massima
- 300 MW
MMBFJ203 · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Tipo di FET
- Canale N
- Potenza massima
- 350 MW
MMBFJ177 · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Tipo di FET
- Canale P
- Temperatura operativa
- -55°C ~ 150°C (TJ)
MMBF4119 · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Tipo di FET
- Canale N
- Potenza massima
- 225 MW
2N4858U · Diodi e transistor
- Produttore
- Microchip Technology
- Tipo di FET
- Canale N
- Potenza massima
- 360 MW
J202_D26Z · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Tipo di FET
- Canale N
- Potenza massima
- 625 MW
TF208TH-5-TL-H · Diodi e transistor
- Produttore
- Onsemi
- Tipo di FET
- Canale N
- Temperatura operativa
- 150°C (TJ)
2SK3372GTL · Diodi e transistor
- Produttore
- Panasonic Electronic Components
- Tipo di FET
- Canale N
- Temperatura operativa
- -20°C ~ 80°C (TA)
MV2N5116UB/TR · Diodi e transistor
- Produttore
- Microchip Technology
- Tipo di FET
- Canale P
- Potenza massima
- 500 MW