BAS70-05-E3-08 · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 200mA (DC)
- Temperatura di giunzione operativa
- 125°C (Max)
Componenti elettronici
UF4004G · Componenti elettronici
- Produttore
- SMC Diode Solutions
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 5 µA @ 400 V
- Temperatura di giunzione operativa
- -65°C ~ 150°C
1SS384TE85LF · Componenti elettronici
- Produttore
- Toshiba Semiconductor And Storage
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 100mA
- Temperatura di giunzione operativa
- 125°C (Max)
BAT85S-TAP · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 2 µA @ 25 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 800 MV @ 100 MA
BAR43CFILM · Componenti elettronici
- Produttore
- STMicroelectronics
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 100mA
- Temperatura di giunzione operativa
- 150°C (Max)
1N4002RLG · Componenti elettronici
- Produttore
- Onsemi
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 10 µA @ 100 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1.1 V @ 1 A
SDMG0340LC-7-F · Componenti elettronici
- Produttore
- Diodes Incorporated
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 30mA (DC)
- Temperatura di giunzione operativa
- -40°C ~ 125°C
BAS21J · Componenti elettronici
- Produttore
- Nexperia USA Inc.
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 150 NA @ 250 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1.1 V @ 100 MA
BAT74 · Componenti elettronici
- Produttore
- Nexperia USA Inc.
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 200mA (DC)
- Temperatura di giunzione operativa
- 125°C (Max)
US1MFL-TP · Componenti elettronici
- Produttore
- Micro Commercial Co
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 10 µA @ 1000 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1.7 V @ 1 A
BAS70-04-E3-08 · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 200mA (DC)
- Temperatura di giunzione operativa
- 125°C (Max)
M1MA141KT1G · Componenti elettronici
- Produttore
- Onsemi
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 100 NA @ 35 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1.2 V @ 100 MA
1SS309(TE85L · Componenti elettronici
- Produttore
- Toshiba Semiconductor And Storage
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 100mA
- Temperatura di giunzione operativa
- 125°C (Max)
1N5818-TP · Componenti elettronici
- Produttore
- Micro Commercial Co
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 1 MA @ 30 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 550 MV @ 1 A
BAS40-04-HE3-08 · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 200mA
- Temperatura di giunzione operativa
- 125°C (Max)
BAS21W-7-F · Componenti elettronici
- Produttore
- Diodes Incorporated
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 100 NA @ 200 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1.25 V @ 200 MA
BAS31 · Componenti elettronici
- Produttore
- Onsemi
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 200mA
- Temperatura di giunzione operativa
- 150°C (Max)
BAV116W-7-F · Componenti elettronici
- Produttore
- Diodes Incorporated
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 5 NA @ 75 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1.25 V @ 150 MA