VS-6ESU06-M3/86A · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 5 µA @ 600 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1.3 V @ 6 A
Componenti elettronici
RFN6BM2DFHTL · Componenti elettronici
- Produttore
- Rohm Semiconductor
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 6A
- Temperatura di giunzione operativa
- 150°C (Max)
1N5822RLG · Componenti elettronici
- Produttore
- Onsemi
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 2 MA @ 40 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 525 MV @ 3 A
HN2D03F(TE85L · Componenti elettronici
- Produttore
- Toshiba Semiconductor And Storage
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 100mA
- Temperatura di giunzione operativa
- 150°C (Max)
UF5401-E3/73 · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 10 µA @ 100 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1 V @ 3 A
SDT40A100CTFP · Componenti elettronici
- Produttore
- Diodes Incorporated
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 20A
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 150°C
SBR15A30SP5-13 · Componenti elettronici
- Produttore
- Diodes Incorporated
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 100 µA @ 30 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 590 MV @ 15 A
BAT54SQ-7-F · Componenti elettronici
- Produttore
- Diodes Incorporated
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 200mA (DC)
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 800 MV @ 100 MA
RB060LAM-40TFTR · Componenti elettronici
- Produttore
- Rohm Semiconductor
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 100 µA @ 40 V
- Temperatura di giunzione operativa
- 150°C (Max)
MBRB20200CT · Componenti elettronici
- Produttore
- Diodes Incorporated
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 10A
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 175°C
STTH2L06UFY · Componenti elettronici
- Produttore
- STMicroelectronics
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 2 µA @ 600 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1.4 V @ 2 A
HN2S02FU(TE85L · Componenti elettronici
- Produttore
- Toshiba Semiconductor And Storage
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 100mA
- Temperatura di giunzione operativa
- 125°C (Max)
SS32-E3/9AT · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 500 µA @ 20 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 500 MV @ 3 A
RB088NS100FHTL · Componenti elettronici
- Produttore
- Rohm Semiconductor
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 10A
- Temperatura di giunzione operativa
- 150°C (Max)
NRVHPM220T3G · Componenti elettronici
- Produttore
- Onsemi
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 500 NA @ 200 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1.05 V @ 2 A
EMP11T2R · Componenti elettronici
- Produttore
- Rohm Semiconductor
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 100mA
- Temperatura di giunzione operativa
- 150°C (Max)
UG2D-E3/54 · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 5 µA @ 200 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 950 MV @ 2 A
10CTQ150 · Componenti elettronici
- Produttore
- SMC Diode Solutions
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 5A
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 175°C