IDH10G65C6XKSA1 · Componenti elettronici
- Produttore
- Infineon Technologies
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 33 µA @ 420 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1.35 V @ 10 A
Componenti elettronici
1S953-TB-AZ · Componenti elettronici
- Produttore
- Renesas Electronics America Inc
- Contenitore / involucro
- Sfuso
1N4154 · Componenti elettronici
- Produttore
- NTE Electronics, Inc
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 100 NA @ 25 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1 V @ 30 MA
BAS40-04Q-7-F · Componenti elettronici
- Produttore
- Diodes Incorporated
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 200mA (DC)
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 125°C
IDW75D65D1XKSA1 · Componenti elettronici
- Produttore
- Infineon Technologies
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 40 µA @ 650 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1.7 V @ 75 A
MMBD1503A · Componenti elettronici
- Produttore
- Rectron USA
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 200mA
- Temperatura di giunzione operativa
- 150°C (Max)
B340AXF-13 · Componenti elettronici
- Produttore
- Diodes Incorporated
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 200 µA @ 40 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 500 MV @ 3 A
BAV23A-QR · Componenti elettronici
- Produttore
- Nexperia USA Inc.
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 225mA
- Temperatura di giunzione operativa
- 150°C
APT75DQ120BG · Componenti elettronici
- Produttore
- Microchip Technology
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 100 µA @ 1200 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 3.1 V @ 75 A
M1MA151WKT1G · Componenti elettronici
- Produttore
- Onsemi
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 100mA (DC)
- Temperatura di giunzione operativa
- 150°C (Max)
SA2J-E3/5AT · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 3 µA @ 600 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1.1 V @ 2 A
MMBD3004CA · Componenti elettronici
- Produttore
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 225mA
- Temperatura di giunzione operativa
- -65°C ~ 150°C
1N649-1 · Componenti elettronici
- Produttore
- Microchip Technology
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 50 NA @ 600 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1 V @ 400 MA
MMBD3004A_R1_00001 · Componenti elettronici
- Produttore
- Panjit International Inc.
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 225mA (DC)
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 150°C
RBQ30TB45BNZC9 · Componenti elettronici
- Produttore
- Rohm Semiconductor
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 350 µA @ 45 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 590 MV @ 30 A
BAS7006B5003 · Componenti elettronici
- Produttore
- Infineon Technologies
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 70mA (DC)
- Temperatura di giunzione operativa
- 150°C (Max)
B360AF-13 · Componenti elettronici
- Produttore
- Diodes Incorporated
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 200 µA @ 60 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 650 MV @ 3 A
QSG0115UDJ-7 · Componenti elettronici
- Produttore
- Diodes Incorporated
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 100mA
- Temperatura di giunzione operativa
- -65°C ~ 150°C