PNE20080EPEZ · Componenti elettronici
- Produttore
- Nexperia USA Inc.
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 1 µA @ 200 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 950 MV @ 8 A
Componenti elettronici
BAS40-04B5003 · Componenti elettronici
- Produttore
- Infineon Technologies
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 120mA (DC)
- Temperatura di giunzione operativa
- 150°C
1N4148WTQ-7 · Componenti elettronici
- Produttore
- Diodes Incorporated
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 1 µA @ 75 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1.25 V @ 150 MA
HSM88WATR-E · Componenti elettronici
- Produttore
- Renesas Electronics America Inc
- Contenitore / involucro
- Sfuso
NTE639 · Componenti elettronici
- Produttore
- NTE Electronics, Inc
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 5 µA @ 1300 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1 V @ 3 A
BYW51-200 · Componenti elettronici
- Produttore
- Onsemi
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 10A
- Temperatura di giunzione operativa
- 150°C (Max)
SS29 · Componenti elettronici
- Produttore
- Onsemi
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 400 µA @ 90 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 850 MV @ 2 A
G40H100CTFW · Componenti elettronici
- Produttore
- Diodes Incorporated
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 40A
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 175°C
1SS416CT · Componenti elettronici
- Produttore
- Toshiba Semiconductor And Storage
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 50 µA @ 30 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 500 MV @ 100 MA
G30H100CTFW · Componenti elettronici
- Produttore
- Diodes Incorporated
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 30A
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 175°C
BAS40L · Componenti elettronici
- Produttore
- Nexperia USA Inc.
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 10 µA @ 40 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1 V @ 40 MA
VB30150C-M3/8W · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 15A
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 150°C
NRVTS360ETFSWFTAG · Componenti elettronici
- Produttore
- Onsemi
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 12 µA @ 60 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 900 MV @ 6 A
V20M120M-E3/4W · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 10A
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 175°C
SS35HE3_B/I · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 500 µA @ 50 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 750 MV @ 3 A
SBR20100CTFP · Componenti elettronici
- Produttore
- Diodes Incorporated
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 10A
- Temperatura di giunzione operativa
- -65°C ~ 175°C
1SS193 · Componenti elettronici
- Produttore
- Toshiba Semiconductor And Storage
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 500 NA @ 80 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1.2 V @ 100 MA
SBR20150CT · Componenti elettronici
- Produttore
- Diodes Incorporated
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 10A
- Temperatura di giunzione operativa
- -65°C ~ 175°C