VS-3C06ET07S2L-M3 · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 35 µA @ 650 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1.5 V @ 6 A
Componenti elettronici
1N4247GP-E3/54 · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 1 µA @ 600 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1.2 V @ 1 A
MSRT150120A · Componenti elettronici
- Produttore
- GeneSiC Semiconductor
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 150A
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 150°C
SFAF1008G · Componenti elettronici
- Produttore
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 10 µA @ 600 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1.7 V @ 10 A
GSXD080A018S1-D3 · Componenti elettronici
- Produttore
- SemiQ
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 80A
- Temperatura di giunzione operativa
- -40°C ~ 150°C
BYC20X-600PQ · Componenti elettronici
- Produttore
- WeEn Semiconductors
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 10 µA @ 600 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 2.5 V @ 20 A
1N4148UBCA · Componenti elettronici
- Produttore
- Microchip Technology
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 200mA
- Temperatura di giunzione operativa
- -65°C ~ 200°C
GP10B-E3/54 · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 5 µA @ 100 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1.1 V @ 1 A
MDD72-14N1B · Componenti elettronici
- Produttore
- IXYS
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 113A
- Temperatura di giunzione operativa
- -40°C ~ 150°C
FFSD0865A · Componenti elettronici
- Produttore
- Onsemi
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 200 µA @ 650 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1.75 V @ 8 A
GSXD080A008S1-D3 · Componenti elettronici
- Produttore
- SemiQ
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 80A
- Temperatura di giunzione operativa
- -40°C ~ 150°C
GP10-4005-E3/54 · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Tecnologia
- Standard
- Tensione inversa CC massima (Vr)
- 600 V
APT2X100D40J · Componenti elettronici
- Produttore
- Microchip Technology
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 100A
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 175°C
GP08G-E3/54 · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 5 µA @ 400 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1.3 V @ 800 MA
JAN1N4148UBCCC · Componenti elettronici
- Produttore
- Microchip Technology
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 1A
- Temperatura di giunzione operativa
- -65°C ~ 200°C
WNSC2D10650BJ · Componenti elettronici
- Produttore
- WeEn Semiconductors
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 50 µA @ 650 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1.7 V @ 10 A
APT2X60D40J · Componenti elettronici
- Produttore
- Microchip Technology
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 60A
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1.5 V @ 60 A
EGP10A-E3/54 · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 5 µA @ 50 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 950 MV @ 1 A