MBRT400200R · Componenti elettronici
- Produttore
- GeneSiC Semiconductor
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 200A
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 150°C
Componenti elettronici
HS1MFS · Componenti elettronici
- Produttore
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 1 µA @ 1000 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1.7 V @ 1 A
MBRT200150R · Componenti elettronici
- Produttore
- GeneSiC Semiconductor
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 100A
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 150°C
HER304G · Componenti elettronici
- Produttore
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 10 µA @ 300 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1 V @ 3 A
RBR1MM40ATFTR · Componenti elettronici
- Produttore
- Rohm Semiconductor
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 50 µA @ 40 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 520 MV @ 1 A
MSRT20080AD · Componenti elettronici
- Produttore
- GeneSiC Semiconductor
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 200A
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 150°C
MBRT300100R · Componenti elettronici
- Produttore
- GeneSiC Semiconductor
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 150A
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 150°C
SR806 · Componenti elettronici
- Produttore
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 500 µA @ 60 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 700 MV @ 8 A
SK33-TP · Componenti elettronici
- Produttore
- Micro Commercial Co
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 500 µA @ 30 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 500 MV @ 3 A
MURT30020R · Componenti elettronici
- Produttore
- GeneSiC Semiconductor
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 150A
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 150°C
MBRT30040 · Componenti elettronici
- Produttore
- GeneSiC Semiconductor
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 150A
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 150°C
UG4A-E3/54 · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 5 µA @ 50 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 950 MV @ 4 A
MBR400150CTR · Componenti elettronici
- Produttore
- GeneSiC Semiconductor
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 200A
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 150°C
SS3P3L-M3/86A · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 250 µA @ 30 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 470 MV @ 3 A
MSRT200120AD · Componenti elettronici
- Produttore
- GeneSiC Semiconductor
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 200A
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 150°C
GS1MHE3-LTP · Componenti elettronici
- Produttore
- Micro Commercial Co
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 5 µA @ 1000 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1 V @ 1 A
MBRT40020R · Componenti elettronici
- Produttore
- GeneSiC Semiconductor
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 200A
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 150°C
S12GC · Componenti elettronici
- Produttore
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 1 µA @ 400 V
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 150°C