NRVBAF260T3G · Componenti elettronici
- Produttore
- Onsemi
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 200 µA @ 60 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 630 MV @ 2 A
Componenti elettronici
F18107RD1400 · Componenti elettronici
- Produttore
- Sensata-Crydom
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 105A (DC)
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1.65 V @ 300 A
SDT12A120P5-13D · Componenti elettronici
- Produttore
- Diodes Incorporated
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 500 µA @ 120 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 800 MV @ 12 A
MBRT60040 · Componenti elettronici
- Produttore
- GeneSiC Semiconductor
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 300A
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 150°C
1N5406G · Componenti elettronici
- Produttore
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 5 µA @ 600 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1 V @ 3 A
MURTA600120 · Componenti elettronici
- Produttore
- GeneSiC Semiconductor
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 300A
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 150°C
SMMSD914T3G · Componenti elettronici
- Produttore
- Onsemi
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 5 µA @ 75 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1 V @ 10 MA
VS-VSKJ320-12PBF · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 160A
- Temperatura di giunzione operativa
- -40°C ~ 150°C
6A100GH · Componenti elettronici
- Produttore
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 10 µA @ 1000 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1 V @ 6 A
MSRTA300160AD · Componenti elettronici
- Produttore
- GeneSiC Semiconductor
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 300A
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 150°C
MURS160BJ · Componenti elettronici
- Produttore
- WeEn Semiconductors
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 5 µA @ 600 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1.25 V @ 1 A
MBRT60030 · Componenti elettronici
- Produttore
- GeneSiC Semiconductor
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 300A
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 150°C
CBS10S30 · Componenti elettronici
- Produttore
- Toshiba Semiconductor And Storage
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 500 µA @ 30 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 450 MV @ 1 A
JANTX1N7039CCU1 · Componenti elettronici
- Produttore
- Microchip Technology
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 35A
- Temperatura di giunzione operativa
- -65°C ~ 150°C
VS-6ESU06-M3/87A · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 5 µA @ 600 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1.3 V @ 6 A
MURTA60060 · Componenti elettronici
- Produttore
- GeneSiC Semiconductor
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 300A
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 150°C
RS2G-E3/52T · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 5 µA @ 400 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1.3 V @ 1.5 A
BYX84TR · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 1 µA @ 600 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1 V @ 1 A