GI1-1200GP-E3/54 · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 10 µA @ 1200 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1.1 V @ 1 A
Componenti elettronici
NSVBAV70DXV6T5G · Componenti elettronici
- Produttore
- Onsemi
- Contenitore / involucro
- Sfuso
S5BL-TP · Componenti elettronici
- Produttore
- Micro Commercial Co
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 10 µA @ 100 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1.2 V @ 5 A
SK2045CD2 · Componenti elettronici
- Produttore
- Diotec Semiconductor
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 10A
- Temperatura di giunzione operativa
- -50°C ~ 150°C
V15PM12-M3/I · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 800 µA @ 120 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 840 MV @ 15 A
IDW60C65D1 · Componenti elettronici
- Produttore
- Infineon Technologies
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 60A (DC)
- Temperatura di giunzione operativa
- -40°C ~ 175°C
RS3KB-T · Componenti elettronici
- Produttore
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 5 µA @ 800 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1.3 V @ 3 A
S16KSD2 · Componenti elettronici
- Produttore
- Diotec Semiconductor
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 8A
- Temperatura di giunzione operativa
- -50°C ~ 150°C
ES3GHE3_A/I · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 10 µA @ 400 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1.1 V @ 3 A
TSD2GH · Componenti elettronici
- Produttore
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 1 µA @ 400 V
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 175°C
SK30100CD2-3G · Componenti elettronici
- Produttore
- Diotec Semiconductor
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 15A
- Temperatura di giunzione operativa
- -50°C ~ 150°C
AU2PK-M3/87A · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 10 µA @ 800 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 2.5 V @ 2 A
BAV70M315 · Componenti elettronici
- Produttore
- Nexperia USA Inc.
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 150mA (DC)
- Temperatura di giunzione operativa
- 150°C (Max)
S1MWFM-7 · Componenti elettronici
- Produttore
- Diodes Incorporated
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 5 µA @ 1000 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1.1 V @ 1 A
SK2045CD2-3G · Componenti elettronici
- Produttore
- Diotec Semiconductor
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 10A
- Temperatura di giunzione operativa
- -50°C ~ 150°C
MURS320HE3_A/H · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 5 µA @ 200 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 875 MV @ 3 A
BAS21AVD · Componenti elettronici
- Produttore
- NXP USA Inc.
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 200mA (DC)
- Temperatura di giunzione operativa
- 150°C (Max)
CUHS15F30 · Componenti elettronici
- Produttore
- Toshiba Semiconductor And Storage
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 50 µA @ 30 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 520 MV @ 1.5 A