FES10G · Componenti elettronici
- Produttore
- Onsemi
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 5 µA @ 400 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1.2 V @ 10 A
Componenti elettronici
12CWQ04FNTRL · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 6A
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 150°C
VS-15EVU06HM3/I · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 20 µA @ 600 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1.8 V @ 15 A
42CTQ030-1 · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 20A
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 150°C
RFUH10NS6SFHTL · Componenti elettronici
- Produttore
- Rohm Semiconductor
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 10 µA @ 600 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 2.8 V @ 10 A
30CTQ040 · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 15A
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 175°C
V35PWM45-M3/I · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 1.1 MA @ 45 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 670 MV @ 35 A
20CTQ045S · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 10A
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 175°C
RBQ10RSM65BTFTL1 · Componenti elettronici
- Produttore
- Rohm Semiconductor
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 150 µA @ 65 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 670 MV @ 10 A
20CTQ035 · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 10A
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 175°C
RF501BGE2STL · Componenti elettronici
- Produttore
- Rohm Semiconductor
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 1 µA @ 200 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 920 MV @ 5 A
303CNQ080 · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 300A
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 175°C
FS8G · Componenti elettronici
- Produttore
- Onsemi
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 5 µA @ 400 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1.1 V @ 8 A
12CTQ045STRL · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 15A
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 175°C
1N5183E3 · Componenti elettronici
- Produttore
- Microchip Technology
- Temperatura di giunzione operativa
- -65°C ~ 175°C
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 10 V @ 100 MA
201CNQ045 · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 200A
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 175°C
GP30M-E3/54 · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 5 µA @ 1000 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1.1 V @ 3 A
15CTQ045S · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 7.5A
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 150°C