MMBD101LT1 · Componenti elettronici
- Produttore
- Onsemi
- Contenitore / involucro
- Nastro e bobina (TR) Nastro tagliato (CT)
Componenti elettronici
CCS15S40 · Componenti elettronici
- Produttore
- Toshiba Semiconductor And Storage
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 200 µA @ 40 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 550 MV @ 1.5 A
87CNQ020A · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 40A
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 150°C
SBLF10L25-E3/45 · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 800 µA @ 25 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 460 MV @ 10 A
MMBD2837LT1 · Componenti elettronici
- Produttore
- Onsemi
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 100mA
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 150°C
RS1B-13-F · Componenti elettronici
- Produttore
- Diodes Incorporated
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 5 µA @ 100 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1.3 V @ 1 A
BAV23C-7 · Componenti elettronici
- Produttore
- Diodes Incorporated
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 400mA (DC)
- Temperatura di giunzione operativa
- -65°C ~ 150°C
VS-ETH3106FP-N3 · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 10 µA @ 600 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 2.15 V @ 30 A
MMBD4448HTM-7 · Componenti elettronici
- Produttore
- Diodes Incorporated
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 250mA
- Temperatura di giunzione operativa
- -65°C ~ 150°C
S1G · Componenti elettronici
- Produttore
- Onsemi
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 1 µA @ 400 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1.1 V @ 1 A
MMBD3004BRM-7 · Componenti elettronici
- Produttore
- Diodes Incorporated
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 225mA (DC)
- Temperatura di giunzione operativa
- -65°C ~ 150°C
GI1404-E3/45 · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 5 µA @ 200 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 975 MV @ 8 A
10BQ030 · Componenti elettronici
- Produttore
- SMC Diode Solutions
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 1 MA @ 30 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 420 MV @ 1 A
87CNQ020ASL · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 40A
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 150°C
STPS5045SG-TR · Componenti elettronici
- Produttore
- STMicroelectronics
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 360 µA @ 45 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 610 MV @ 50 A
MBRD660CTTRL · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 3A
- Temperatura di giunzione operativa
- -40°C ~ 150°C
BAT165AX · Componenti elettronici
- Produttore
- Nexperia USA Inc.
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 8 µA @ 40 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 740 MV @ 750 MA
SD103ATW-7 · Componenti elettronici
- Produttore
- Diodes Incorporated
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 175mA
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 125°C