B350B-13-F · Componenti elettronici
- Produttore
- Diodes Incorporated
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 500 µA @ 50 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 700 MV @ 3 A
Componenti elettronici
BAW56WT1 · Componenti elettronici
- Produttore
- Onsemi
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 200mA (DC)
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 150°C
VS-3EMU06-M3/5AT · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 3 µA @ 600 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1.7 V @ 3 A
NSDEMN11XV6T5 · Componenti elettronici
- Produttore
- Onsemi
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 100mA (DC)
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 150°C
VS-150K40A · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 35 MA @ 400 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1.33 V @ 471 A
STTA3006CW · Componenti elettronici
- Produttore
- STMicroelectronics
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 15A
- Temperatura di giunzione operativa
- 150°C (Max)
B340LB-13-F · Componenti elettronici
- Produttore
- Diodes Incorporated
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 2 MA @ 40 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 450 MV @ 3 A
20CTH03 · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 10A
- Temperatura di giunzione operativa
- -65°C ~ 175°C
VS-150U100D · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 15 MA @ 1000 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1.47 V @ 600 A
MBD54DWT1 · Componenti elettronici
- Produttore
- Onsemi
- Contenitore / involucro
- Nastro e bobina (TR) Nastro tagliato (CT)
RR1LAM4STR · Componenti elettronici
- Produttore
- Rohm Semiconductor
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 10 µA @ 400 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1.1 V @ 1 A
VS-85HFL60S05 · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 100 µA @ 600 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1.75 V @ 266.9 A
30CTH02STRR · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 15A
- Temperatura di giunzione operativa
- -65°C ~ 175°C
MMBD717LT1 · Componenti elettronici
- Produttore
- Onsemi
- Contenitore / involucro
- Nastro e bobina (TR) Nastro tagliato (CT)
US1GWF-7 · Componenti elettronici
- Produttore
- Diodes Incorporated
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 1 µA @ 400 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1.25 V @ 1 A
20CTH03STRL · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 10A
- Temperatura di giunzione operativa
- -65°C ~ 175°C
VS-70HFL80S05 · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 100 µA @ 800 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1.85 V @ 219.8 A
DAP202UT106 · Componenti elettronici
- Produttore
- Rohm Semiconductor
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 100mA
- Temperatura di giunzione operativa
- 150°C (Max)