BAT1805E6327NTSA1 · Componenti elettronici
- Produttore
- Infineon Technologies
- Contenitore del produttore
- PG-SOT23
- Contenitore / involucro
- Nastro e bobina (TR)
Componenti elettronici
SK59C · Componenti elettronici
- Produttore
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 300 µA @ 90 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 850 MV @ 5 A
MBRA3045NTU · Componenti elettronici
- Produttore
- Onsemi
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 30A
- Temperatura di giunzione operativa
- -65°C ~ 150°C
VSKY05201006-G4-08 · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 75 µA @ 20 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 430 MV @ 500 MA
BAT30-09P6FILM · Componenti elettronici
- Produttore
- STMicroelectronics
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 300mA (DC)
- Temperatura di giunzione operativa
- 150°C (Max)
V10P22-M3/H · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 150 µA @ 200 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 900 MV @ 10 A
FEP16JTA · Componenti elettronici
- Produttore
- Onsemi
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 16A
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 150°C
BAS100CS_R1_00001 · Componenti elettronici
- Produttore
- Panjit International Inc.
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 1 µA @ 100 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 850 MV @ 500 MA
BAS4005WE6327BTSA1 · Componenti elettronici
- Produttore
- Infineon Technologies
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 120mA (DC)
- Temperatura di giunzione operativa
- 150°C (Max)
TSP3H150S · Componenti elettronici
- Produttore
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 100 µA @ 150 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 860 MV @ 3 A
BAT41-07P6FILM · Componenti elettronici
- Produttore
- STMicroelectronics
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 200mA (DC)
- Temperatura di giunzione operativa
- 150°C (Max)
BAS116H · Componenti elettronici
- Produttore
- Nexperia USA Inc.
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 5 NA @ 75 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1.25 V @ 150 MA
FFB20UP20DN · Componenti elettronici
- Produttore
- Onsemi
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 10A
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 175°C
VS-8EVH06-M3/I · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 20 µA @ 600 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 2.4 V @ 8 A
FEP16CT · Componenti elettronici
- Produttore
- Onsemi
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 16A
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 150°C
BAT54-E3-08 · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 2 µA @ 25 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 800 MV @ 100 MA
V40100P-E3/45 · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 20A
- Temperatura di giunzione operativa
- -40°C ~ 150°C
B5818WS-TP · Componenti elettronici
- Produttore
- Micro Commercial Co
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 1 MA @ 30 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 550 MV @ 1 A