1N4001-E3/73 · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 5 µA @ 50 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1.1 V @ 1 A
Componenti elettronici
BAS70SV · Componenti elettronici
- Produttore
- Onsemi
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 70mA
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 150°C
MBR10100 · Componenti elettronici
- Produttore
- SMC Diode Solutions
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 1 MA @ 100 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 850 MV @ 10 A
FST8345M · Componenti elettronici
- Produttore
- GeneSiC Semiconductor
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 80A (DC)
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 150°C
MBR1045 · Componenti elettronici
- Produttore
- SMC Diode Solutions
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 1 MA @ 45 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 650 MV @ 10 A
CPT60035 · Componenti elettronici
- Produttore
- Microsemi Corporation
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 300A
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 650 MV @ 300 A
1N6663US · Componenti elettronici
- Produttore
- Microchip Technology
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 50 NA @ 600 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1 V @ 400 MA
SR20150-G · Componenti elettronici
- Produttore
- Comchip Technology
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 10A
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 150°C
CTS05S40 · Componenti elettronici
- Produttore
- Toshiba Semiconductor And Storage
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 30 µA @ 10 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 350 MV @ 100 MA
SBT80-04Y-DL-E · Componenti elettronici
- Produttore
- Onsemi
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 8A
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 150°C
TSP12U120S · Componenti elettronici
- Produttore
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 500 µA @ 120 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 780 MV @ 12 A
MBRB15H35CT-E3/81 · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 7.5A
- Temperatura di giunzione operativa
- -65°C ~ 175°C
FFSH20120A-F085 · Componenti elettronici
- Produttore
- Onsemi
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 200 µA @ 1200 V
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 175°C
BAV70T116 · Componenti elettronici
- Produttore
- Rohm Semiconductor
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 215mA
- Temperatura di giunzione operativa
- 150°C (Max)
1N4148W-HE3-08 · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 100 µA @ 100 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1.2 V @ 100 MA
SBT150-04Y-DL-E · Componenti elettronici
- Produttore
- Onsemi
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 15A
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 150°C
VS-15EWX06FNTR-M3 · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 200 µA @ 600 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 3.2 V @ 15 A
APT2X61DC120J · Componenti elettronici
- Produttore
- Microchip Technology
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 60A
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1.8 V @ 60 A