1N4934-E3/73 · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 5 µA @ 100 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1.2 V @ 1 A
Componenti elettronici
MBRF50040R · Componenti elettronici
- Produttore
- GeneSiC Semiconductor
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 250A
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 150°C
1N5811URS/TR · Componenti elettronici
- Produttore
- Microchip Technology
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 5 µA @ 150 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 875 MV @ 4 A
MBRTA60060 · Componenti elettronici
- Produttore
- GeneSiC Semiconductor
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 300A
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 150°C
1N5402-E3/73 · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 5 µA @ 200 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1.2 V @ 3 A
MBRTA60030R · Componenti elettronici
- Produttore
- GeneSiC Semiconductor
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 300A
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 150°C
BYG20JHE3_A/H · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 1 µA @ 600 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1.4 V @ 1.5 A
MBRF40060R · Componenti elettronici
- Produttore
- GeneSiC Semiconductor
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 200A
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 150°C
SB007-03Q-TL-E · Componenti elettronici
- Produttore
- Onsemi
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 5 µA @ 15 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 550 MV @ 70 MA
UFT7340M · Componenti elettronici
- Produttore
- GeneSiC Semiconductor
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 70A
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 150°C
1N5806URS/TR · Componenti elettronici
- Produttore
- Microchip Technology
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 1 µA @ 150 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 875 MV @ 1 A
MBRF400150R · Componenti elettronici
- Produttore
- GeneSiC Semiconductor
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 200A
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 150°C
S2JHE3_A/H · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 1 µA @ 600 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1.15 V @ 1.5 A
MBRTA60045 · Componenti elettronici
- Produttore
- GeneSiC Semiconductor
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 300A
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 150°C
S1PG-M3/84A · Componenti elettronici
- Produttore
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 1 µA @ 400 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 1.1 V @ 1 A
MBRTA80060R · Componenti elettronici
- Produttore
- GeneSiC Semiconductor
- Corrente raddrizzata media (Io) / diodo
- 400A
- Temperatura di giunzione operativa
- -55°C ~ 150°C
1N6701US/TR · Componenti elettronici
- Produttore
- Microchip Technology
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 200 µA @ 30 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 470 MV @ 5 A
ES2D-13-F · Componenti elettronici
- Produttore
- Diodes Incorporated
- Corrente di dispersione inversa a Vr
- 5 µA @ 200 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If
- 920 MV @ 2 A