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Informazioni prodotto
- Produttore:
- Microchip Technology
- Corrente di dispersione inversa a Vr:
- 1.4 MA @ 35 V
- Tensione diretta massima (Vf) a If:
- 510 MV @ 8 A
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Stesso modello · parametri coerenti
Identificazione del componente
| Parametro | Valore |
|---|---|
| Categoria | Semiconduttori discreti · diodi raddrizzatori singoli |
| Serie | POWERMITE® 3 |
| Produttore | Microchip Technology |
Caratteristiche elettriche
| Parametro | Valore |
|---|---|
| Corrente di dispersione inversa a Vr | 1.4 MA @ 35 V |
| Tensione diretta massima (Vf) a If | 510 MV @ 8 A |
| Tecnologia | Schottky |
| Temperatura di giunzione operativa | -55°C ~ 125°C |
| Tensione inversa CC massima (Vr) | 35 V |
| Corrente raddrizzata media (Io) | 8A |
| Velocità | Recupero rapido =< 500ns, > 200mA (Io) |
Contenitore e meccanica
| Parametro | Valore |
|---|---|
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale |
| Contenitore / involucro | Nastro e bobina (TR) |
Nessun parametro corrispondente
I parametri si riferiscono a questo modello. Verificare contenitore e condizioni di prova nella scheda del produttore.
Campi originali · inglese · 1
Alcuni campi attendono la traduzione e sono riportati separatamente in inglese.
| Supplier Device Package | Powermite 3 |
|---|
Descrizione
La descrizione localizzata non è ancora disponibile. Di seguito sono riportati i parametri del modello.
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Componenti selezionati
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XCKU040-2FFVA1156I · Componenti elettronici
- Produttore
- XILINX
- Contenitore / involucro
- FCBGA-1156
- Temperatura operativa
- Industriale