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GD30MPS06H
GD30MPS06H · Componenti elettronici
Informazioni prodotto
- Produttore:
- GeneSiC Semiconductor
- Codice componente:
- GD30MPS06H
- Temperatura di giunzione operativa:
- -55°C ~ 175°C
- Capacità a Vr, F:
- 735pF @ 1V, 1MHz
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Stesso modello · parametri coerenti
Identificazione del componente
| Parametro | Valore |
|---|---|
| Categoria | Semiconduttori discreti · diodi raddrizzatori singoli |
| Serie | SiC Schottky MPS™ |
| Produttore | GeneSiC Semiconductor |
| Codice prodotto base | GD30MPS06 |
Caratteristiche elettriche
| Parametro | Valore |
|---|---|
| Temperatura di giunzione operativa | -55°C ~ 175°C |
| Capacità a Vr, F | 735pF @ 1V, 1MHz |
| Tecnologia | Schottky SiC (carburo di silicio) |
| Tensione inversa CC massima (Vr) | 650 V |
| Corrente raddrizzata media (Io) | 49A |
| Velocità | Senza tempo di recupero > 500mA (Io) |
Contenitore e meccanica
| Parametro | Valore |
|---|---|
| Tipo di montaggio | Montaggio a foro passante |
| Contenitore del produttore | –-247-2 |
| Contenitore / involucro | Tubo |
Nessun parametro corrispondente
I parametri si riferiscono a questo modello. Verificare contenitore e condizioni di prova nella scheda del produttore.
Descrizione
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Componenti selezionati
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XCKU040-2FFVA1156I · Componenti elettronici
- Produttore
- XILINX
- Contenitore / involucro
- FCBGA-1156
- Temperatura operativa
- Industriale