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RBR2L60BTE25

RBR2L60BTE25 · Componenti elettronici

Informazioni prodotto

Produttore:
Rohm Semiconductor
Codice componente:
RBR2L60BTE25
Corrente di dispersione inversa a Vr:
150 µA @ 60 V
Tensione diretta massima (Vf) a If:
520 MV @ 2 A

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Specifiche tecniche

Stesso modello · parametri coerenti

Identificazione del componente

ParametroValore
CategoriaSemiconduttori discreti · diodi raddrizzatori singoli
ProduttoreRohm Semiconductor
Codice prodotto baseRBR2L60

Caratteristiche elettriche

ParametroValore
Corrente di dispersione inversa a Vr150 µA @ 60 V
Tensione diretta massima (Vf) a If520 MV @ 2 A
TecnologiaSchottky
Temperatura di giunzione operativa150°C (Max)
Tensione inversa CC massima (Vr)60 V
Corrente raddrizzata media (Io)2A
VelocitàRecupero rapido =< 500ns, > 200mA (Io)

Contenitore e meccanica

ParametroValore
Tipo di montaggioMontaggio superficiale
Contenitore del produttorePMDS
Contenitore / involucroNastro e bobina (TR) Nastro tagliato (CT)

I parametri si riferiscono a questo modello. Verificare contenitore e condizioni di prova nella scheda del produttore.

Descrizione

La descrizione localizzata non è ancora disponibile. Di seguito sono riportati i parametri del modello.

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A
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Illustrazione di categoria generata con IA; non è una fotografia del prodotto.

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